友情提示：如果本网页打开太慢或显示不完整，请尝试鼠标右键“刷新”本网页！
电子电路大全(PDF格式)-第94部分
快捷操作: 按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页 按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页 按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部! 如果本书没有阅读完，想下次继续接着阅读，可使用上方 "收藏到我的浏览器" 功能 和 "加入书签" 功能！
CX2 0603 1 nF ±5％
CX3 0603 1 nF ±10％
C1 0603 2。7 pF ±5％
C2 0805 0。68 pF ±5％
C3 0805 3。9 pF ±5％
C4 0603 150 pF ±5％
C5 0603 330 pF ±10％
C6 0603 330 pF ±10％
C7 1206 220 nF ±20％
L1 0603 22 nH ±5％
L2 0603 22 nH ±5％
L3 0805 33 nH ±5％
RF1 0805 2。0 kOhm ±10％
RF2 0805 4。3 kOhm ±10％
RPS 0805 56 kOhm ±10％
R1 0805 470 kOhm ±10％
R2 0805 30 kOhm ±10％
R3 0805 0 Ohm ±10％
V1 SOD323 BB535
…6
XTAL HC49/S 13。55 MHz ±30×10 校准
…6
基波 ±30×10 温度
输出功率可以通过改变电阻 Rps 来选择，如表 1。5。5 所示。
表1。5。5 输出功率可以通过改变电阻Rps 来选择
RPS/kOhm ≥68 56 47 39 27 15
V /V ≥2 1。1 0。9 0。7 0。5 0。3
PS
ICC/mA 11。5 8。6 7。3 6。2 5。3 4。8
PO/dBm 2 …1 …4 …7 …10 …12
Pharm ≤…40 ≤…40 ≤…40 ≤…45 ≤…45 ≤…50
载波频率f c 、频偏f c 与 CX1 和 CX2 的关系，分别如表 1。5。6 和表 1。5。7 所示。
…………………………………………………………Page 709……………………………………………………………
·38 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
表1。5。6 载波频率fc 与CX1 和CX2 的关系（晶振频率13。55 MHz，负载电容15 pF）
f c / MHz
CX1/pF
CX2=1nF CX2=100pF CX2=47pF
22 433。612 433。619 433。625
32 433。604 433。610 433。614
40 433。598 433。604 433。608
49 433。596 433。601 433。604
61 433。593 433。598 433。600
104 433。587
表1。5。7 频偏fc 与CX1 和CX2 的关系（晶振频率13。55 MHz，负载电容15 pF）
±f c / kHz
CX1/pF
CX2=1nF CX2=100 pF CX2=47 pF
22 34 27 21
32 25 19 14
40 20 14 10
49 17 11。5 8
61 13 9 5。5
104 8
1。6 315/433MHz ASK 发射器芯片TH71071 的原理与
应用电路设计
1。6。1 概述
TH71071 是一个单片 ASK 发射器芯片，可工作在 310 MHz～440 MHz 频段，ASK 调制
通过开关内部的功率放大器完成，芯片内集成了晶体振荡器、压控振荡器（VCO ）、相频检
波器、分频器、功率放大器等电路。输出功率为…12 dBm～＋2 dBm，可调差动输出适合环形
天线，电源电压为2。2V～5。5V，电流为4。8 mA～11。5 mA，提供低功耗模式。符合 EN 300 220
以及类似标准。可用于无钥匙进入系统、遥控遥测系统、数据通信系统和安防系统等。
1。6。2 主要性能指标
TH71071 的主要性能指标如表 1。6。1 所示。
表1。6。1 TH71071 主要性能指标
参 数 最 小 值 典 型 值 最 大 值 单 位
电源电压 2。2 5。5 V
工作温度 …40 ＋85 ℃
XOSC 频率 9。7 13。75 MHz
VCO 频率 310 440 MHz
…………………………………………………………Page 710……………………………………………………………
第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·39 ·
续表
参 数 最 小 值 典 型 值 最 大 值 单 位
时钟频率 2。4 3。4 MHz
待机电流 0。05 0。1 uA
工作电流 6 9 12 mA
输入高电平 0。7 V V ＋0。3 V
CC CC
输入低电平 …0。3 0。3 V V
CC
FM 频偏 ±6 kHz
ASK 数据速率 40 kb/s
VCO 增益 200 MHz/V
启动时间 1。2 ms
1。6。3 芯片封装及引脚功能
TH71071 采用 SOIC…8 封装，如图 1。6。1 所示。
图 1。6。1 TH71071 的引脚封装形式
TH71071 各引脚功能如下。
引脚 1：LF ，充电泵输出，连接到回路滤波器。
引脚 2 ：RO ，晶体振荡器电路FSK 引入端。
引脚 3 ：ENTX ，模式控制输入。
引脚 4 ：PS / DATA ，ASK 数据输入。
引脚 5：VCC ，电源。
引脚 6 ：OUT2，差分功率放大器输出，集电极开路。
引脚 7 ：OUT1，差分功率放大器输出，集电极开路。
引脚 8：VEE ，地。
1。6。4 内部结构与工作原理
TH71071 的内部结构框图如图 1。6。2 所示。芯片内包含发射功率放大器（PA ）、晶体振荡
器（XOSC ）、压控振荡器（VCO ）、相频检波器（PFD ）、分频器（÷32 ）、充电泵（CP ）、电
源电路（PS ）等电路。锁相环（PLL ）合成器由压控振荡器（VCO ）、分频器（÷32 ）、相频
检波器（PFD ）、充电泵和回路滤波器（LF ）组成，在LF 端外接的回路滤波器决定 PLL 的动
态性能。VCO 的振荡器信号被馈送到分频器和功率放大器，分频器的分频比是 32 。晶体振
荡器（XOSC ）作为PLL 合成器的基准振荡器。发射器的载波频率f c 是由晶体振荡器的基准
频率
f 决定的，集成的 PLL 合成器利用f = f /N （N=32 ，分频器系数） ，保证在 310 MHz～
ref ref c
440MHz 的频率范围内的每一个射频频点能够实现。
…………………………………………………………Page 711……………………………………………………………
·40 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
功率放大器（PA ）的输出功率可以通过改变PS 端的外接电阻 RPS 的数值或改变在PS 端
的电压 V 完成。集电极开路的差分输出（OUT1；OUT2 ）能直接驱动一个环形天线，或者通
PS
过一个平衡到不平衡的变换器转换为单端输出。
TH71071 的模式控制通过控制ENTX 端实现，模式控制允许芯片工作在 2 个不同的模式。
模式控制端 ENTX=0 ，芯片处于待机状态；模式控制端ENTX=1 ，芯片处于发射状态。
TH71071 直接将数据加到 PS 引脚端实现 ASK 调制，调制数据控制 PA 功率放大器导通
和截止。
图 1。6。2 TH71071 的内部结构框图
1。6。5 应用电路设计
TH71071 采用 50Ohm天线的应用电路如图 1。6。3 所示，电路中�
快捷操作: 按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页 按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页 按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部!
温馨提示： 温看小说的同时发表评论，说出自己的看法和其它小伙伴们分享也不错哦！发表书评还可以获得积分和经验奖励，认真写原创书评 被采纳为精评可以获得大量金币、积分和经验奖励哦！