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电子电路大全(PDF格式)-第89部分
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②
C2 18 pF COG； ±0。1 pF
C3 330 pF
②
C4 10 pF COG； ±0。1 pF
①
C5 1 nF
③
C6 15 pF
②
L1 39 nH
注：① 取决于数据速率；② 取决于天线和 PCB 板；③ 数值取决于所使用的晶振和它的封装电容（C ）。
L
表1。1。11 采用50 Ohm天线应用电路的元器件参数
符 号 数 值
L1 220 nH
L2 56 nH
C2 56 pF
C3 5。6 pF
C4 330 pF
C8 22 pF
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·13 ·
图 1。1。15 TDA5101A 采用 50 Ohm 天线的应用电路
1。2 800 MHz～1 GHz ASK 发射器芯片MICRF103 的
原理与应用电路设计
1。2。1 概述
MICRF103 是一种单片UHF ASK 发射器芯片。该芯片使用Micrel’s QwikRadioTM技术，
可工作在 800～1000 MHz；芯片内集成了合成器、压控振荡器、功率放大器等电路，是
一种真正的“数据输入、无线输出”的单片器件；采用 ASK/OOK 调制；电源电压为 4。5～
5。5V，电流为 8 mA ；提供低功耗模式，待机电流为 1。0 uA ；数据速率为 115 kb/s；天线
自动调谐。MICRF103 芯片可用于自动遥控无钥匙进入系统（RKE ）、遥控系统、数据通
信和安防系统。
1。2。2 主要性能指标
MICRF103 主要性能指标如表 1。2。1 所示。
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·14 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
表1。2。1 MICRF102 主要性能指标
参 数 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压 4。5 5。5 V
待机电源电流 0。10 uA
电源部分 工作电流 14 27。5 mA
最大输出功率 …3 dBm
变容二极管调谐范围 2。6 3。0 3。3 pF
基准振荡器输入阻抗 300 kOhm
基准振荡器部分
基准振荡器输入电压（峰…峰值） 0。2 1。0 V
校准时间 20 ms
从待机到发射器稳定时间 9 12 ms
数字控制部分 ASK 调制最大数据速率 115 kb/s
ASK 输入高电平 0。8 V
DD
ASK 输入低电平 0。1 V
DD
1。2。3 芯片封装及引脚功能
MICRF103 采用 8…pin SOP （M） 封装（如图 1。2。1 所示），其各引脚功能如表 1。2。2 所示。
图 1。2。1 MICRF103 引脚封装形式
表1。2。2 MICRF103 各引脚功能
引脚 符 号 功 能
1 PC 电源控制输入。正常工作时，该引脚的电压被设置在0。1V～0。4 V 之间
2 VDD 电源电压正端
3 VSS 地。VDD 和 VSS 之间需外接旁路电容
基准振荡。连接晶振到地，或采用 AC 耦合方式输入 0。5 V （峰…峰值）时钟脉冲。基准振荡
4 REFOSC
频率×64=发射频率
5 STBY 待机模式控制。接 VDD 为发射方式，接 VSS 为待机模式
6 ANTM RF 功率输出负端。外接发射回路天线的高端
7 ANTP RF 功率输出正端。外接发射回路天线的低端
8 ASK 幅移键控调制数据输入端
1。2。4 内部结构与工作原理
MICRF103 内部结构如图 1。2。2 所示。芯片内包含：由基准振荡器、相位检波器、分频器、
带通滤波器、压控振荡器（VCO ）构成的UHF 合成器，发射偏置控制单元，RF 功率放大器，
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·15 ·
天线调谐控制电路和变容二极管等。
图 1。2。2 MICRF103 内部结构
UHF 合成器产生载频和正交信号输出。输入相位信号（I ）用来驱动RF 功率放大器。天
线调谐正交信号（Q ）用来比较天线信号相位。天线调谐控制部分检测在天线通道发射信号
的相位和控制变容二极管的电容以调谐天线。功率放大器输出受发射偏置控制单元的控制。
1。2。5 应用电路设计
MICRF103 应用电路如图 1。2。3 所示。
图 1。2。3 MICRF103 应用电路
应用中应注意以下问题。
（1）发射频率是基准振荡器频率的64 倍，即f TX=64 ×f REFOSC 。如果使用外接时钟信号，
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·16 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
需采用 AC 耦合方式，输入信号幅度（峰…峰值）为 200～1 000 mV。
（2 ）天线电感：MICRF103 使用差分输出去驱动天线负载。功率放大器输出级包含有一
个变容二极管，它自动与天线的电感调谐，以保证谐振在发射频率上。典型的 PCB 导线天线
的电感与回路的尺寸、天线导线的宽度、PCB 铜泊的厚度和接地板的位置有关。
（3 ）发射功率：功率放大器的输出功率与PC 端（1 脚）的电压有关。PC 端的电压上升，
输出功率加大，但如果 PC 端的电压超过 0。4 V，功率放大器被限流，输出功率不再增加。减
少 PC 端的电压可降低电源功率消耗，同时也会降低 RF 输出功率。
（4 ）电源旁路电容：MICRF103 芯片对电源纹波敏感，正确的电源旁路是必需的，一般
使用 4。7 uF 、0。1 uF 、100pF 三个电容并联在 VDD 和 VSS 之间。
（R）
1。3 内含KEELOQ 滚动码编码器的UHF ASK/FSK
发射器芯片rfHCS362G/362F 的原理与应用电路设计
1。3。1 概述
rfHCS362G/362F 是单片集成内嵌 KEELOQ（R）滚动码编码器的 UHF ASK/FSK 发射器芯
片，其待机电流小于 200 nA ，发射电流为4。8～11。5 mA，工作电压为2。5～5。5 V，编码速率
为 417～3 334 b/s，采用2 位 CRC 误码检测。可编程的 28/32 位序列号，两个可编程的 64 位
编码键，32 位滚动码。
rfHCS362G/362F 的UHF ASK/FSK 发射器，频率范围为 310～440 MHz ，输出功率为
＋2 dBm～…12 dBm 可调节，可以调整发射器电源消耗。ASK 数据发射速率为 0～40 kb/s ，FSK
数据发射速率为 0～20 kb/s 。RF 频率等于晶振频率的 32 倍。采用 PLL 锁相和集成的晶体振
荡器（VCO ），电路仅需少量的外部元件。符合US FCC Part 15。231 和 European EN 300 220
的要求。
可用于遥控无键入口（RKE ）发射器、车库门开门器、遥测（轮胎压力，水、电、气表，
贵重物品跟踪）系统、无线安防系统和无线电遥控设备等。
1。3。2 主要性能指标
rfHCS362G/362F 的主要技术指标如表 1。3。1 和表 1。3。2 所示。
表1。3。1 rfHCS362G/362F 编码器部分主要技术指标
参 数 最 小 值 典 型 值 最 大 值
电源电压/V 2。0 6。3
工作电流/mA 0。3 1。2
待机电流/uA 0。1 1。0
高电平输入电压 0。65 V V ＋0。3V
DD DD
低电平输入电压 …0。3V 0。15 V
DD
高电平输出电压 0。7 V V ＋0。3V
DD DD
低电平输出电压 0。15 V
DD
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·17 ·
续表
参 数 最 小 值 典 型 值 最 大 值
RFEN 端驱动电流/mA 0。5 5
S0…S3 下拉电阻/kOhm 40 60 80
PWM 下拉电阻/kOhm 80 120 160
表1。3。2 rfHCS362G/362F 发射器部分主要技术指标
参 数 最 小 值 典 型 值 最 大 值
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