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电子电路大全(PDF格式)-第79部分
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Step 33： 在 LDX 窗口中鼠标左击 Load button 。
Step 34： 有 2 个不匹配的目标。
206
…………………………………………………………Page 655……………………………………………………………
Step 35： 双击第一条。相关信息显示如下。
Step 36： 在“Schematic Node”和“Layout Node” 中节点 “5”处单击鼠标中键 （Middle Mouse
Button） ，菜单弹处。在菜单中选择“Show Node” ，分别从电路图单元和版图单元中提取电
路拓扑图如下。
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…………………………………………………………Page 656……………………………………………………………
Step 37： 左边的电路拓扑图是从电路图单元中提取，右边的从版图单元中提取。比较这两
个拓扑图， 你能明显的看到右边的拓扑中 NMOS 丢失了，因为连接 PMOS 和 NOMS 栅
极的连线丢失了。
同时， 版图单元窗中顶层显示本版图单元中的错误标志。
Step 38： 在“Schematic Node” 和 “Layout Node” 中鼠标中击节点“5” ，从弹出菜单中选择
“Show Error” 电路图和版图单元自动打开，错误标记清晰的添加到每个单元中。
在这个部分，我们学会怎么以交互的模式运行 ZeniLVS。 在 LVS 的编译器－LDX 的帮
助下，我们清楚的发现了版图的错误。
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附录
0。6um 双阱 CMOS 工艺 BSIM3v3 模型参数（2P2M）
*model = bsim3
*NewModel = 3
*Cadence patibility Mode
*These are BSIM3v3 Model Parameters
*LotName=LOT_NAME UserName=USER Date=04…22…2002
。Lib TT
。model CMOSN NMOS（
＋Level= 49
* GENERAL PARAMETERS
＋lmin=0。6e…6 lmax=20e…6 wmin=0。8e…6 wmax=20。0e…6
＋Tnom=25。0 version = 3。1 Tox= 1。25000E…08 Xj= 2。5000000E…07
＋Nch= 1。2721000E＋17 lln= 1。0295000 lwn= 1。0000000
＋wln= 0。9340000 wwn= 2。0000000 lint= 1。5200000E…07 ll= …3。5900000E…14
＋wint= 2。0200001E…07 wl= …9。4300000E…14 ww= …5。1700000E…20
＋Mobmod= 1 binunit= 2 Dwg= …2。2914280E…08 Dwb= 1。3746710E…08
* DIODE PARAMETERS
＋ldif=0。00 hdif=6E…7 rsh= 0 rd= 0 rs= 0 rsc= 0 rdc= 0
* THRESHOLD VOLTAGE PARAMETERS
＋Vth0= 0。7278545 K1= 0。7409649 K2= …1。5283380E…02 K3= 7。1778210
＋Dvt0= 14。8549000 Dvt1= 1。0209540 Dvt2= …4。6828460E…02
＋Dvt0w= …8。0227880E…02 Dvt1w= 8。8635700E＋04 Dvt2w= 0。1900000
＋Nlx= 0。00 W0= 1。3573220E…06 K3b= …4。7786870
* MOBILITY PARAMETERS
＋Vsat= 7。7711460E＋04 Ua= …7。4628200E…10 Ub= 2。6335220E…18
＋Uc= 3。5986350E…11 Rdsw= 1。8026500E＋03 Prwb= 1。9065101E…02
＋Prwg= …3。4200580E…02 Wr= 0。9613520 U0= 4。2603870E…02 A0= 0。4940039
＋Keta= …1。6965831E…02 A1= 0。00 A2= 0。9900000 Ags= 1。9959440E…02
＋B0= 8。6096910E…08 B1= …4。3232750E…07
* SUBTHRESHOLD CURRENT PARAMETERS
＋Voff= …9。6102280E…02 NFactor= 1。0989590 Cit= 2。3121500E…04
＋Cdsc= 4。8599650E…03 Cdscb= 9。1149930E…04 Cdscd= 0。00
＋Eta0= 6。2591110E…03 Etab= …1。1673500E…02 Dsub= 0。2718996
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…………………………………………………………Page 658……………………………………………………………
* ROUT PARAMETERS
＋Pclm= 0。6415634 Pdiblc1= 9。6421800E…03 Pdiblc2= 1。5307820E…03
＋Pdiblcb= …0。1822976 Drout= 0。1000000 Pscbe1= 2。7371760E＋08
＋Pscbe2= 4。6373430E…06 Pvag= 0。00 Delta= 1。0000000E…02
＋Alpha0= 0。00 Beta0= 30。0000000
* TEMPERATURE EFFECTS PARAMETERS
＋kt1= …0。3333333 kt2= …2。6930001E…02 At= 1。2000000E＋04
＋Ute= …1。6454999 Ua1= 1。1130000E…09 Ub1= …1。0460000E…18
＋Uc1= …6。6220000E…12 Kt1l= 0。00 Prt= 8。4800000E＋02
* CAPACITANCE PARAMETERS
＋Cj= 4。350548E…04 Mj= 。4223898 Pb= 。9590048 Cjsw= 3。648853E…10
＋Mjsw= 。1671139 Php= 。5406927 Cta= 0 Ctp= 0 Pta= 0 Ptp= 0
＋JS=1。00E…14 JSW=0。00 N=1。0 Xti=3。0 Cgdo=2。0E…10 Cgso=2。0E…10
＋Cgbo=1。0E…13 Capmod= 2 NQSMOD= 0 Elm= 5 Xpart= 0
＋cgsl= 2。0000000E…10 cgdl= 2。0000000E…10 ckappa= 1。9920000
＋cf= 0。00 clc= 8。0259140E…09 cle= 2。0475841 Dlc= 1。5184E…07
＋Dwc= 2。015E…07）
。model CMOSP PMOS（
＋Level= 49
* GENERAL PARAMETERS
＋lmin=0。6e…6 lmax=20e…6 wmin=0。8e…6 wmax=20。0e…6
＋Tnom=25。0 version = 3。1 Tox= 1。30000E…08 Xj= 3。0000001E…07
＋Nch= 2。5099999E＋16 lln= 0。2000000 lwn= 1。0000000
＋wln= 1。0660000 wwn= 2。0000000
＋lint= …1。3000000E…09 ll= …1。3500000E…10 lwl= 1。4900000E…15
＋wint= 2。3999999E…07 wl= 5。5000000E…15 ww= …8。2200000E…20
＋Mobmod= 1 binunit= 2 Dwg= …2。9800001E…08 Dwb= 2。0800000E…08
* DIODE PARAMETERS
＋ldif=0。00 hdif=6E…7 rsh= 0 rd= 0 rs= 0 rsc= 0 rdc= 0
* THRESHOLD VOLTAGE PARAMETERS
＋Vth0= …1。0168999 K1= 0。4355000 K2= 1。2700000E…02 K3= 11。1944000
＋Dvt0= 6。4793000 Dvt1= 0。9395000 Dvt2= 8。7300000E…03 Dvt0w=
3。7900000E…02
＋Dvt1w= 0。00 Dvt2w= 0。1900000 Nlx= 0。00 W0= 2。9399999E…07
＋K3b= …2。3515999
* MOBILITY PARAMETERS
＋Vsat= 9。4300000E＋04 Ua= 1。9199999E…09 Ub= 7。7500000E…19
＋Uc= …5。0000000E…11 Rdsw= 3。3300000E＋03 Prwb= 9。9200000E…02
210
…………………………………………………………Page 659……………………………………………………………
＋Prwg= …3。7100000E…02 Wr= 0。9804000 U0= 1。9200001E…02 A0= 0。2612000
＋Keta= …1。4800000E…02 A1= 0。00 A2= 0。4000000 Ags= 2。0000000E…02
＋B0= 3。1600001E…07 B1= …3。0300001E…07
* SUBTHRESHOLD CURRENT PARAMETERS
＋Voff= …0。1054000 NFactor= 0。8294000 Cit= 9。8500000E…04
＋Cdsc= 1。0000000E…10 Cdscb= 0。00 Cdscd= 0。00 Eta0= 0。1185000
＋Etab= …3。2900000E…03 Dsub= 0。5157000
* ROUT PARAMETERS
＋Pclm= 2。9535999 Pdiblc1= 1。0000000E…05 Pdiblc2= 1。2900000E…03
＋Pdiblcb= 0。1900000 Drout= 3。0000000 Pscbe1= 3。7000000E＋08
＋Pscbe2= 1。0000000E…10 Pvag= 1。0000000 Delta= 1。0000000E…02
＋Alpha0= 0。00 Beta0= 30。0000000
* TEMPERATURE EFFECTS PARAMETERS
＋kt1= …0。4763000 kt2= …2。9050000E…02 At= 1。0000000E＋04 Ute= …1。0000000
＋Ua1= 3。7500000E…09 Ub1= …7。1500000E…18 Uc1= …5。0833000E…11
＋Kt1l= 0。00 Prt= …8。8300000E＋02
* CAPACITANCE PARAMETERS
＋Cj= 8。208121E…04 Mj= 。5198076 Pb= 。9180865 Cjsw= 4。107676E…10
＋Mjsw= 。2586436 Php= 。6054589 Cta= 0 Ctp= 0 Pta= 0 Ptp= 0 JS=1。00E…04
＋JSW=0。00 N=1。0 Xti=3。0 Cgdo=1。0E…10 Cgso=1。0E…10 Cgbo=1。0E…13
＋Capmod= 2 NQSMOD= 0 Elm= 5 Xpart= 0 cgsl= 1。0000000E…10
＋cgdl= 9。9592000E…11 ckappa= 1。0000000 cf= 0。00 clc= 5。0018750E…08
＋cle= 0。8024064 Dlc= …1。421085E…14 Dwc= 2。304E…07）
******************************************************
********* subcircuit ******************************
*****************************************************
。SUBCKT CMOSN D G S B PARAMS： L=0。6U W=0。8U
MN1 D G S B CMOSN L=L W=W AD='W*1。8*1e…6' AS='W*1。8*1e…6'
PS='（W＋1。8*1e…6）*2' PD='（W＋1。8*1e…6）*2'
。ENDS
*
。SUBCKT CMOSP D G S B PARAMS： L=0。6U W=0。8U
MP1 D G S B CMOSP L=L W=W AD='W*1。8*1e…6' AS='W*1。8*1e…6'
PS='（W＋1。8*1e…6）*2' PD='（W＋1。8*1e…6）*2'
。ends
****************************************************
****************************************************
。Endl TT
211
…………………………………………………………Page 660……………………………………………………………
MOSIS 0。25um
MOSIS Parametric Test Results
http：//mosis。org/
RUN： T02D VENDOR： TSMC
TECHNOLOGY： SCN025 FEATURE SIZE： 0。25 microns
INTRODUCTION： This report contains the lot average results obtained by MOSIS from
measurements of MOSIS test structures on each wafer of this fabrication lot。 SPICE
parameters obtained from similar measurements on a selected wafer are also attached。
MENTS： TSMC 0251P5M。
0。25μm BSIM3v3。1 NMOS Parameters
。MODEL CMOSN NMOS （ LEVEL = 49
＋VERSION = 3。1 TNOM = 27 TOX = 5。7E…9
＋XJ = 1E…7 NCH = 2。3549E17 VTH0 = 0。4273342
＋K1 = 0。3922983 K2 = 0。0185825 K3 = 1E…3
＋K3B = 2。0947677 W0 = 2。171779E…7 NLX = 1。919758E…7
＋DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
＋DVT0 = 7。137212E…3 DVT1 = 6。066487E…3 DVT2 = …0。3025397
＋U0 = 403。1776038 UA = …3。60743E…12 UB = 1。323051E…18
＋UC = 2。575123E…11 VSAT = 1。616298E5 A0 = 1。4626549
212
…………………………………………………………Page 661……………………………………………………………
＋AGS = 0。3136349 B0 = 3。080869E…8 B1 = …1E…7
＋KETA = 5。462411E…3 A1 = 4。653219E…4 A2 = 0。6191129
＋RDSW = 345。624986 PRWG = 0。3183394 PRWB = …0。1441065
＋WR = 1 WINT = 8。107812E…9 LINT = 3。375523E…9
＋XL = 3E…8 XW = 0 DWG = 6。420502E…10
＋DWB = 1。042094E…8 VOFF = …0。1083577 NFACTOR = 1。1884386
＋CIT = 0 CDSC = 2。4E…4 CDSCD = 0
＋CDSCB = 0 ETA0 = 4。914545E…3 ETAB = 4。215338E…4
＋DSUB = 0。0313287 PCLM = 1。2088426 PDIBLC1 = 0。7240447
＋PDIBLC2 = 5。120303E…3 PDIBLCB = …0。0443076 DROUT = 0。7752992
＋PSCBE1 = 4。451333E8 PSCBE2 = 5E…10 PVAG = 0。2068286
＋DELTA = 0。01 MOBMOD = 1 PRT = 0
＋UTE = …1。5 KT1 = …0。11 KT1L = 0
＋KT2 = 0。022 UA1 = 4。31E…9 UB1 = …7。61E…18
＋UC1 = …5。6E…11 AT = 3。3E4 WL = 0
＋WLN = 1 WW = …1。22182E…16 WWN = 1。2127
＋WWL = 0 LL = 0 LLN = 1
＋LW = 0 LWN = 1 LWL = 0
＋CAPMOD = 2 XPART = 0。4 CGDO = 6。33E…10
＋CGSO = 6。33E…10 CGBO = 1E…11 CJ = 1。766171E…3
＋PB = 0。9577677 MJ = 0。4579102 CJSW = 3。931544E…10
＋PBSW = 0。99 MJSW = 0。2722644 CF = 0
＋PVTH0 = …2。126483E…3 PRDSW = …24。2435379 PK2 = …4。788094E…4
＋WKETA = 1。430792E…3 LKETA = …6。548592E…3 ）
0。25μm BSIM3v3。1 PMOS Parameters
MODEL CMOSP PMOS （ LEVEL = 49
＋VERSION = 3。1 TNOM = 27 TOX = 5。7E…9
＋XJ = 1E…7 NCH = 4。1589E17 VTH0 = …0。6193382
＋K1 = 0。5275326 K2 = 0。0281819 K3 = 0
＋K3B = 11。249555 W0 = 1E…6 NLX = 1E…9
＋DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
＋DVT0 = 3。1920483 DVT1 = 0。4901788 DVT2 = …0。0295257
＋U0 = 185。1288894 UA = 3。40616E…9 UB = 3。640498E…20
＋UC = …6。35238E…1
快捷操作: 按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页 按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页 按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部!
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