电子电路大全(PDF格式)-第77部分

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Step　47：　　　当然，也可以象　　Step　11　一样，　　用画矩形　（（0，0　）到　（0。9，0。9　））的方式来画　　met1　。　　



　　



Step　48：　　　同样，你需要创立“Nimp。dwg”层，尺寸和　met1　相同。　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　183　　


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Step　49：　　　点击菜单　　Tools…》Clear　　Ruler　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（或者点击　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图标）来去除刻度。　　金属和　N　型　



掺杂的连接单元　mndiff　显示如下。　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　



Step　50：　　　点击菜单　Design…》Save　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（或点击　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图标）保存此单元（cellview　）。　　



　　



Step　51：　　　点击菜单　Design…》Close　　关闭单元设计。　　



　　



下面我们将创建反相器的　NMOS　管单元（cellview　）：　nmos_18。　　



　　



Step　52：　　　同　　Step　9：　　确定版图刻度如下。　　



　　



184　　　　


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Step　53：　　　从版图窗口的左下方选择“Nimp。dwg”　　层（N　型掺杂层，画　N　管源漏区）。　　



　　



Step　54：　　　鼠标左击菜单Create…》Rectangle　（或点击　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图标）从点（0，　　0。3）　　到点（2。6，　　1。2）　

画一个矩形。　　　　



　　



Step　55：　　选择　　“Poly。dwg”　　层（多晶硅层，画　P　管栅）。　　



Step　56：　　　鼠标左击菜单　　Create…》Path　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（或　　点击　　　　　　　　　　　　　　　　图标），　　将自动弹出下面对话框。　　（如　



果对话框不显示，　　按　　F3　　键去激活。　　或者打开选项　Options…》Generic…》Editor…》Auto　　Popup　　



Form）　　　　



　　



Step　57：　　填写栅极信息如下，Path　的宽即为栅长L。　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　185　　


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Step　58：　　　从点（1。3，　　1。5）　　到　　（1。3　，　　0。0）　　用　　“Poly。dwg”层画一条路径。　　双击结束命令。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　



Step　59：　　选择菜单　　Create…》Instance　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（或者点击　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图标）两次调用一个　1　行　1　列的子　



单元（即为刚才创建的　mndiff　子单元）。　　



　　



Step　60：　　在弹出的对话框中填写下面的信息（注意：Cell　　Name　为刚才创建的　mndiff　子单　



元）。　

　　　　　　　　　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　



Step　61：　　　光标移回版图编辑区。　　　　



　　



Step　62：　　　子单元显示在光标处。　　左击点（0。0，　　0。3）　　放置子单元。　　



　　



Step　63：　　左击点　　（1。7　，　　0。3）　　再次放置这些单元。　　



　　



Step　64：　　　按　　“Esc”　　结束命令。　　



　　



Step　65：　　　点击　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图标清除尺。　　



　　



Step　66：　　保存、关闭　NMOS　单元。。　　



186　　　　


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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　创建反相器版图　　



下面，　　我们新建一个反相器版图，将调用刚才建立的　PMOS　、NMOS　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　单元，并画出其余　



部分，最后将构成完整的反相器版图。　　



　　



Step　67：　　在设计环境　　ZDMW　　中，右击库“PLL　”选择创建新的子单元　　“New　View”　。　　



　　



Step　68：　　创建反相器版图“*inv”。　　



　　



Step　69：　　　设置标尺如下。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　



Step　70：　　　点击　　　　　　　　　　　　　　　图标添加　　“*pmos_18”单元，填写信息如下。　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　187　　


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Step　71：　　移动光标回到版图编辑区点击点　　（0　，　　9。5）　　放置“*pmos_18”单元。　　



　　



Step　72：　　　同前面画PMOS　版图一样，调出　NMOS　版图，注意　NMOS　是直接画在衬底上，　



与　PMOS　画在　N　阱里不同，而且NMOS　源漏区是　N　型掺杂。　　



　　



Step　73：　　在点　　（1。3　，　　4。3）　　绘制的　NMOS　如下图。　　



　　



188　　　　


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Step　74：　　选择　　“Poly。dwg”　　层，创建宽为　0。35um　　的path　从点　　（2。6　，　　10。5）　　到（2。6，　　5。8）　。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：此步骤为用多金硅连接　PMOS　和　NMOS　　的栅极　　



Step　75：　　选择“met1。dwg”　　层，创建宽为　0。35um　　的path　从点　　（3。45　，　　10。8）　　到（3。45，　　5。5）　。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：此步骤为用金属连接　PMOS　的漏区和NMOS　　的漏区　　



Step　76：　　　按照前面的方法从库　library　　“PLL”　中创建单元“mpoly”　　，规定金属和多金硅的连　



接，并且调出单元放置在点（1。7，　　7。65）　。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：此步骤为创建信号输入点，信号通过金属　1　线连到栅极　　



　　



Step　77：　　　按照前面的方法从库　library　　“INV”　中创建单元“m1m2”　　，规定金属　1　和金属　2　的　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　189　　


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连接，并且调出单元放置在点（1。7，　　6。75）　　和　　（3。0　，　　7。65）　。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：信号从金属　2　输入，通过反相器反相后，再从金属　2　输出。　　



Step　78：　　　点击菜单　Create…》Label　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（或点击　　　　　　　　　　　　　　　　图标）。　　将弹出下面的对话框。　　

　　



Step　79：　　填写对话框如下。　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



Step　80：　　移动光标到版图编辑区，标号　　“IN”　随光标出现。　　



　　



Step　81：　　　点击点在　　“mploy”单元上确认标号　　“＋”　　在　　“mploy”　　单元区。　　



　　



Step　82：　　　同样，在“m1m2”单元添加　　“OUT”　　标识。　　



190　　　　


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Step　83：　　　　选择“met1。dwg”层，创建宽度为　4　的path　　从点　　（0　，15。2）　　到　　（5。2　，15。2）。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：此为电源　VDD　的连线　　



Step　84：　　　再次选择　　“met1。dwg”　　创建矩形从左点　　（1。3　，　　12。6）　　到右顶点（2。2，13。2）。　　图形显　



示如下。　　　　　　　　（注：此为将PMOS　的源区通过金属和电源VDD　相连）　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　191　　


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Step　85：　　选择　　“nwell。dwg”　　层创建矩形从　　（0　，13。9）　　点　　（5。2　，17。2）。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：因为　PMOS　做在　N　阱中，N　阱需要接最高电位。　　



Step　86：　　　从库　INV　中调出定义金属和N　型掺杂的单元　　“mndiff”　　，1　行　2　列。　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　



192　　　　


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Step　87：　　　点击对话框　　Hide　并且放置在点　　（1。7　，　　14。75）　。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：上面步骤将电源　VDD　和　N　阱通过单元“mndiff”相连。　　



Step　88：　　选择　　“met1。dwg”层创建图标“vdd！”　　，字体高　1。0　　并且放在　　“met1。dwg”　区域如下。　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



Step　89：　　移动光标到“met1。dwg”　　区域并且按下键盘　　“space”　　键，当前的有效层自动改变到　　



“met1。dwg”　　层。　　



　　



Step　90：　　用　　“met1。dwg”层，　　创建宽为　4　的　　path　　从点　　（0　，2）　　到　　（5。2　，2）。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：此步骤创建地线　GND　　



Step　91：　　　再用　　“met1。dwg”层，　　创建一个矩形从点　　（1。3　，4）　　到点　　（2。2　，4。6）。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：此步骤将　NMOS　管的源极和地线　GND　通过金属相连　　



Step　92：　　　从库　INV1　　中添加单元序列“mpdiff”　　，1　行　2　列，放在（1。7，1。55）。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　注：此步骤将地线　GND　通过“mpdiff”单元和衬底相连，即衬底接最低电位。　　



Step　93：　　选择“met1。dwg”　　层创建标识　　“gnd！”　，放在　　“met1。dwg”　　区，字体高　　1。0　。　　



　　



Step　94：　　　到此为止，　　整个反相器单元　　“inv”　　　的版图创建如下。　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　193　　


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Step　95：　　最后，　　点击　　　　　　　　　　　　　　　　　　图标清除尺子。　　



　　



　　　　　　　　在这个实验，我们学会怎样去创建路径　path　、矩形rectangle　　和单元，最后我们设计出　



了一个反相器的版图。　　



注：ctrl＋F　命令为显示全部层。　　



　　　



　　　



194　　　　


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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　第　18　章　反相器版图验证与参数提取　　



18。1　Layout　DRC　版图设计规则检查　　



　　　　　Design　Rule　Checks　（DRC）　　用来对版图进行几何设计规则检查。Zeni　4　版图编辑器提供　



了与版图验证工具的无缝接口，用户可以在进行版图设计的同时对版图进行验证，并且以　



图形的形式将验证结果返标在版图上。通过这种交互式的方式，用户可以非常方便快捷的　



定位版图设计中的错误，从而达到随时根据验证结果对版图进行修改，迅速消除版图设计　



中的错误。　　



　　



在这部分…。　　



　　　　　我们将故意在版图中设置一些不满足规则的地方，然后运行　Zeni　　DRC　　设计规则检查　



工具去查找、显示和管理版图中出现的错误。　　



　　



18。1。1　运行九天设计环境　　　



Step　1：　　　cd　WORK…DIR　　



　　



Step　2：　　　dm　&　　



　　



ZDMW　设计环境将出现。　　



　　



18。1。2　打开设计　　



我们将使用您刚才创建的反相器的版图。　　



　　



Step　3：　　　在　ZDMW　　设计环境中，从左到右，依次鼠标左击：　　　　



　　　　　　　　　　INV1　　



　　　　　　　　　　inv　　



　　　　　　　　　　layout　（双击打开版图单元）　　



　　　　　　　　　　　　



反相器的版图单元打开如下：　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　195　　


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