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电子电路大全(PDF格式)-第76部分
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版图编辑
集成电路设计者完成原理图设计后，需要在物理级进行电路实现－版图编辑，我们采
用九天的版图设计工具 —Zeni Physical Design Tool （ZeniPDT）。 ZeniPDT 支持数字、
模拟、混合电路的层次化编辑和快捷的在线版图验证功能。
在这个部分…
我们将创建反相器的两个单元 PMOS 和 NMOS ，最后完成反相器的其余部分。
17。1 运行软件环境
Step 1： cd WORK…DIR
Step 2： dm &
Step 3： 设计环境 ZDMW 将出现
17。2 设计反相器版图
创建 PMOS 单元
Step 4： 右击 PLL library ，选择 “New Cell/View” 子菜单。
Step 5： 填写新单元信息如下，规定金属 metal 和 P 型掺杂的连接：
Library Name： PLL
Cell Name： *mpdiff
View Name： layout
View Type： layout
Step 6： 点 击 Ok 确 认 New
Cell/View 信息后版图编辑界面将出
现。
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Step 7： 左击菜单 Options…》Generic 选项， 定义版图大小如下。
Step 8： 保存并且关闭上面的选择界面。
Step 9： 放大显示区域，鼠标左击菜单 Tools…》Ruler （或者点击 图标）来确定版图
坐标，在版图窗口中点击你需要测量起始点，水平的从左向右挪动指针，可以看到指针划
过处出现一把尺子，在终止位置点击鼠标，完成操作，按键盘“Esc”键结束命令。
Step 10： 从 Layer 中选择“cont。dwg” 层（连接层）。
Step 11： 选择菜单 Create…》Rectangle （或点击 图标）从点 （0。2 ， 0。2） 到 （0。7 ， 0。7）
画一个矩形（当前光标位置显示在版图编辑窗的右下角）。
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Step 12： 按 “Esc” 键结束命令。 添加完成的图形如下。
Step 13： 这次先选择矩形， 点击菜单 Advanced…》Resize ， 填写弹出的对话框信息如下。
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Step 14： 点击 Ok 确认。 The met1 图形是自动创建比cont 周围大 0。2um。
Step 15： 当然，也可以象 Step 11 一样， 用画矩形的方式来画 met1 。
Step 16： 同样，你需要创立“Pimp。dwg”层，尺寸和 met1 相同。
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Step 17： 点击菜单 Tools…》Clear Ruler （或者点击 图标）来去除刻度。 金属和 P 型
掺杂的连接单元 mpdiff 显示如下。
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Step 18： 点击菜单 Design…》Save （或点击 图标）保存此单元（cellview ）。
Step 19： 点击菜单 Design…》Close 关闭单元设计。
下面我们将创建反相器的 PMOS 管单元（cellview ）： *pmos_18。
创建单元命名如上……
Step 20： 同 Step 9： 确定版图刻度如下。
Step 21： 从版图窗口的左下方选择“Pimp。dwg” 层（P 型掺杂层，画 P 管源漏区）。
Step 22： 鼠标左击菜单Create…》Rectangle （或点击 图标）从点（1。3， 1。3） 到点（3。9， 3。1）
画一个矩形。
Step 23： 选择 “Poly。dwg” 层（多晶硅层，画 P 管栅）。
Step 24： 鼠标左击菜单 Create…》Path （或 点击 图标）， 将自动弹出下面对话框。 （如
果对话框不显示， 按 F3 键去激活。 或者打开选项 Options…》Generic…》Editor…》Auto Popup
Form）
Step 25： 填写栅极信息如下，Path 的宽即为栅长L。
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Step 26： 从点（2。6， 3。4） 到 （2。6 ， 1。0） 用 “Poly。dwg”层画一条路径。 双击结束命令。
Step 27： 选择菜单 Create…》Instance （或者点击 图标）两次调用一个 2 行一列的子
单元（即为刚才创建的*mpdiff 子单元）。
Step 28： 在弹出的对话框中填写下面的信息（mpdiff 改为*mpdiff）。
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Step 29： 光标移回版图编辑区。
Step 30： 两个子单元显示在光标处。 左击点（1。3， 1。3） 放置子单元。
Step 31： 左击点 （3。0 ， 1。3） 再次放置这些单元。
Step 32： 按 “Esc” 结束命令。
Step 33： 用“nwell。dwg”层从点（0， 0） 到 （5。2 ， 4。4） 创建一个矩形。
Step 34： 点击 图标清除尺子。
Step 35： 最后，PMOS 单元 *pmos_18 显示如下。
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Step 36： 保存、关闭 PMOS 单元。
创建 NMOS 单元
Step 37： 新建一个单元，规定 metal 和 N 型掺杂的连接，创建步骤同前创建金属和 P 型掺
杂相同，填写新单元信息如下：
Library Name： INV1
Cell Name： *mndiff（注意！！！）
View Name： layout
View Type： layout
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Step 38： 点击 Ok 确认 New Cell/View 信息后版图编辑界面将出现。
Step 39： 左击菜单 Options…》Generic 选项， 定义版图大小如下。
Step 40： 保存并且关闭上面的选择界面。
Step 41： 放大显示区域，鼠标左击菜单 Tools…》Ruler （或者点击 图标）来确定版图
坐标，在版图窗口中点击你需要测量起始点，水平的从左向右挪动指针，可以看到指针划
过处出现一把尺子，在终止位置点击鼠标，完成操作，按键盘“Esc”键结束命令。
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Step 42： 从 Layer 中选择“cont。dwg” 层（连接层）。
Step 43： 选择菜单 Create…》Rectangle （或点击 图标）从点 （0。2 ， 0。2） 到 （0。7 ， 0。7）
画一个矩形（当前光标位置显示在版图编辑窗的右下角）。
Step 44： 按 “Esc” 键结束命令。 添加完成的图形如下。
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Step 45： 这次先选择矩形， 点击菜单 Advanced…》Resize ， 填写弹出的对话框信息如下。
Step 46： 点击 Ok 确认。 The met1 图形是自动创建比cont 周围大 0。2um。
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Step 47： 当然，也可以象 Step 11 一样， 用画矩形 （（0，0 ）到 （0。9，0。9 ））的方式来画 met1
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