电子电路大全(PDF格式)-第51部分

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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　μ　

　　　　　　　　　g　　=　　　　　　=　C　　　　　　　（V　　　…V　　　）　=　

　　　　　　　　　　　m　　　　　　　　　　　n　ox　　　　GS　　　TH　

　　　　　　　　　　　　　　V　　　　　　　　　　　　L　　　　　　　　　　　　　V　　…V　

　　　　　　　　　　　　　　　　　GS　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　GS　　　TH　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（2…2）　　



　　　　或者：　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　1　　　　　　W　

　　　　　　　　　gm　=2　　　　μnCox　　　I　D　

　　　　　　　　　　　　　　　　　2　　　　　　L　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（2…3）　　



　　　　可见MOSFET的饱和区跨导　gm　　不仅和它的工作电流而且可以通过选择器件尺寸W/L加　



以改变。正因为如此，模拟集成电路的设计更加灵活。　　



　　　　　　V