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电子电路大全(PDF格式)-第119部分
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p1～p6 p7～p12 p13～p24 p25～p36 p37～p46 p47～p56 p57 p58
A1 A0 N1 N0 M1 M0 RxFilt Pa2
p59 p60 p61 p62 p63 p64 p65 p66
Pa1 Pa0 Gc ByLNA Ref6 Ref5 Ref4 Ref3
p67 p68 p69 p70 p71 p72 p73 p74
Ref2 Ref1 Ref0 Cpmp1 Cpmp0 Fc1 Fc0 OutS2
p75 p76 p77 p78 p79 p80 — —
OutS1 OutS0 Mod1 Mod0 RT Pu — —
表3。1。7 位功能描述
名称 描 述
A1 分频器A1 ，6 位
A0 分频器A0 ，6 位
N1 分频器N1 ，12 位
N0 分频器N0 ，12 位
M1 分频器M1 ，10 位
M0 分频器M0 ，10 位
RxFilt 1=为RX 数据信号的滤波外接电容
Pa2 功率放大器增益设置
P a1 pa2； pa1； pa0 = 0 ： 较低功率输出
Pa0 pa2； pa1； pa0 = 1 ： 较高功率输出
Gc 功率放大器缓冲器增益控制：1=高增益
接收器前置放大器增益控制：1=高增益
ByLNA 1 = LNA 被旁路
Ref6 设置锁定检测器基准
Ref5 全为0 ：较高基准
Ref4 全为1：较低基准
Ref3
Ref2
Ref1
Ref0
Cpmp1 充电泵设置：
Cpmp0 Cpmp1=0； Cpmp0=0 ： ±125uA
Cpmp1=0； Cpmp0=1 ： ±500uA
Cpmp1=1； Cpmp0=0 ： 由 LockDet （LD）控制 LD=0： ±500uA ；LD=1： ±125uA
Cpmp1=1； Cpmp0=1 ： 与发射方式相同，在接收发射电流是±500uA
Fc1 有源RC 滤波器设置
Fc0 Fc1=0； Fc0=0 ： 10kHz
Fc1=1； Fc0=0 ： 60kHz
Fc1=0； Fc0=1 ： 30kHz
Fc1=1； Fc0=1 ： 200kHz
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·166 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
名称 描 述
OutS2 I…和Q…通道 OutS2 OutS1 OutS0 IchOut QchOut OutS2 OutS1 OutS0 IchOut QchOut
OutS1 输出选择 0 0 0 高阻 高阻 1 0 0 lim_qch gm_qch
OutS0 0 0 1 sk_ich sk_qch 1 0 1 gm_ich lim_ich
0 1 0 gm_ich gm_qch 1 1 0 高阻 双 LF
0 1 1 lim_ich lim_qch 1 1 1 N_分频 M_分频
sk_*： Sallen…Key 滤波器输出；gm_*：gyrator 滤波器输出；lim_*： 限幅器输出
Mod1 Mod1 = 0； Mod0 = 0： FSK 调制加到 VCO
Mod0 Mod1 = 0； Mod0 = 1： FSK 调制加到 VCO： 开环调制
Mod1 = 1； Mod0 = 0： FSK 调制利用在分频器的两个设置之间转换实现
Mod1 = 1； Mod0 = 1： FSK 调制利用分频器A1 加/减1 实现
RT 0 =接收模式 1 =发射模式
Pu 1 = 电源加上； 0 =低功耗模式
当FSK 调制加到VCO 时，PLL 使用分配器A1 、N1 和M1 。当Mod1=1 、Mod0=0 时会
在不同的分频器中切换，当DATAIXO0=0 时，PLL 使用分频器A1 、N1 和M1 ，在不同的分
频器间切换来实现FSK 调制。
N 、M 和A 的值可用下列公式计算得到：
f XCO f RF
f C = =
M 32 ×N ＋A
其中f c 是相对频率。
当CLKIN 信号为高电平时，80 位控制字首先读入移位寄存器，然后通过REGIN 信号（正
的或负的）装入并行寄存器。电路直接指定模式（如接收、发射等）。
图3。1。10 CLKIN、REGIN 、内部LOAD_INT 和PA_C 信号时序图
图中，时序1：倒数第二位数据被时钟信号装入移位寄存器（‘1’）。
时序2 ：最后一位数据被时钟信号装入移位寄存器（‘1’）。
时序3：REGIN 信号转换产生一内部装入脉冲，将控制字装入并行寄存器，电路进入
新的模式（TX 模式），并稳定在这种新模式。
时序4 ：当时钟信号变低时，功放慢慢开启使RF 输出信号最小。PA 开启前，PLL 是
可靠地锁定状态。LOCKDET 被设置后，PA 将开启。
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·167 ·
时序5：功率放大器是满负荷开启。
时序6 ：一个新的控制字进入移位寄存器。当CLKIN 为高时，一个REGIN 信号跳变，
关闭功率放大器。
时序 7 ：当功放关闭时产生内部装入脉冲。新控制字装入并行寄存器，电路进入一个
新的模式（节电模式）。CLKIN 必须在产生内部装入脉冲后变低。
当CLKIN 是高时，REGIN 上的跳变是可避免的，新控制字能在任何时间不影响收发器
的操作的情况下按时进入移位寄存器。
控制字设置例：f RF=434。245MHz ，频偏为±10kHz ，f XCO=10MHz 。FSK 调制通过二分频
器切换实现。控制字设置如表3。1。8 所示。FSK 调制时，通过切换不同的分配器A 、N 和M
的值去对应接收频率和两个发射频率来实现。
表3。1。8 控制字设置
A1 A0 N1 N0 M1 M0
Tx 18 11 127 115 94 85
Rx 27 27 143 143 106 106
RxFilt Pa2 Pa1 Pa0 Gc ByLNA
Tx 0 1 1 1 1 0
Rx 0 1 1 1 1 0
Ref6 Ref5 Ref4 Ref3 Ref2 Ref1
Tx 0 0 0 0 0 0
Rx 0 0 0 0 0 0
Ref0 Cpmp1 Cpmp0 Fc1 Fc0 OutS2
Tx 0 1 0 0 1 0
Rx 0 1 0 0 1 0
OutS1 OutS0 Mod1 Mod0 RT Pu
Tx 0 0 1 0 1 1
Rx 0 0 1 0 0 1
控制字的二进制形式如下：（MSB 在左边）
Tx： 010010 001011 00000 1111111
000001110011 00010 11110 0001010101
0111100000000 10010001011
Rx： 01011 011011 00001000 1111
00001000 1111 0001101010 0001101010
011110000000010010001001
f RF=434。245MHz ，f XCO=10MHz ，FSK 调制加到VCO ，控制字设置如表3。1。9 所示。FSK
调制加到VCO ，A 、N 和M 的值对应于接收频率和发射频率。A 、N 和M 值的设置与所有
模式一样。
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·168 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
表3。1。9 控制字设置
A1 A0 N1 N0 M1 M0
Tx 27 27 143 143 106 106
Rx 27 27 143 143 106 106
RxFilt Pa2 Pa1 Pa0 Gc ByLNA
Tx 0 1 1 1 1 0
Rx 0 1 1 1 1 0
Ref6 Ref5 Ref4 Ref3 Ref2 Ref1
Tx 0 0 0 0 0 0
Rx 0 0 0 0 0 0
Ref0 Cpmp1 Cpmp0 Fc1 Fc0 OutS2
Tx 0 0 1 1 0 0
Rx 0 0 1 1 0 0
OutS1 OutS0 Mod1 Mod0 RT Pu
Tx 0 0 0 0 1 1
Rx 0 0 1 0 0 1
控制字的二进制形式如下：（MSB 在左边）
Tx： 011011 011011 00001000 1111
00001000 1111 0001101010 0001101010
011110000000001 100000011
Rx： 011011 011011 000010000 1111
000010000 1111 000
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