友情提示：如果本网页打开太慢或显示不完整，请尝试鼠标右键“刷新”本网页！
电子电路大全(PDF格式)-第107部分
快捷操作: 按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页 按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页 按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部! 如果本书没有阅读完，想下次继续接着阅读，可使用上方 "收藏到我的浏览器" 功能 和 "加入书签" 功能！
…………………………………………………………Page 777……………………………………………………………
·106 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
控振荡器、PLL 合成器、晶体振荡器等电路。工作在 300～450MHz ISM 频段，能与 TH7107
等芯片配套，实现 ISM 频段无线模拟和数字信号传输。能接收模拟和数字 FSK/FM/ASK 信
号。FSK 数据传输速率可达 40kb/s ，ASK 数据传输速率可达 80kb/s，FM 带宽 15kHz。接收
灵敏度为…111dBm。电源电压为2。5 V～5。5 V，工作电流为 8。2mA，待机电流《 100 nA 。适用
于 ISM （工业、科学和医学）频率范围内的各种应用，如无钥匙进入系统、安防系统、遥控
遥测系统、数据通信系统等。
2。3。2 主要性能指标
TH71101 主要性能指标如表 2。3。1 所示。
表2。3。1 TH71101 主要性能指标
参数 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压 2。5 5。5 V
工作温度 …40 ＋85 ℃
输入频率 300 450 MHz
频偏 ±5 ±120 kHz
FSK 数据速率 40 kb/s
FM 带宽 15 kHz
ASK 数据速率 80 kb/s
待机电流 100 nA
电源电流 5。0 10 mA
RSSI 电压 0。5 2。45 V
启动时间 FSK/FM 0。9 ms
启动时间 ASK R3*C12＋0。9 ms
输入灵敏度 FSK 104 111 dBm
输入灵敏度 ASK 106 109 dBm
镜像抑制 55 dB
VCO 增益 250 MHz/V
充电泵电流 60 uA
2。3。3 芯片封装与引脚功能
TH71101 采用 LQFP32 封装，如图 2。3。1 所示各引脚功能介绍如下。
引脚 1； 5； 10； 22； 25； 30：VEE ，地。
引脚 2 ：GAIN…LNA，低噪声放大器（LNA ）增益控制。
引脚 31 ：IN…LNA，LNA 输入，单端阻抗约为 26Ohm。
引脚 3 ：OUT…LNA，LNA 输出，连接到外接的 LC 调谐回路。
引脚 4 ：IN…MAX1 ，混频器 1 （MAX1 ）输入，单端阻抗约为33Ohm。
引脚 6 ：IF1P，中频 1 （IF1 ）集电极开路输出，连接到第一级IF 的外接LC 回路。
…………………………………………………………Page 778……………………………………………………………
第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·107 ·
图2。3。1 TH71101 的引脚封装形式
引脚 7 ：IF1N，中频 1 （IF1 ）集电极开路输出，连接到第一级IF 的外接LC 回路。
引脚 8；14；17；27；32：VCC ，电源输入。
引脚 9 ：OUT…MIX2，混频器2 （MAX2 ）输出，输出阻抗约330Ohm。
引脚 11：IN…IFA； 中频放大器（IFA ）输入，输入阻抗约2。2 kOhm。
引脚 12：FBC1 ，连接外接的中频放大器反馈电容。
引脚 13：FBC2 ，连接外接的中频放大器反馈电容。
引脚 15：OUT…IFA，中频放大器输出。
引脚 16：IN…DEM ，解调器（DEMOD ）的输入，到混频器3 。
引脚 18：OUT…OA，运算放大器（OA ）输出。
引脚 19：OAN，运算放大器（OA ）负极输入。
引脚 20 ：OAP，运算放大器（OA ）正极输入。OAN 和 OAP 之间的输入电压限制在大
约 0。7VPP 。
引脚 21 ：RSSI ，RSSI 输出，输出阻抗约 36 kOhm。
引脚 23 ：OUTP，FSK/FM 正输出，输出阻抗 100 kOhm～300 kOhm。
引脚 24 ：OUTN，FSK/FM 正输出，输出阻抗 100 kOhm～300 kOhm。
引脚 26 ：RO ，基准振荡器输入，外接晶体振荡器和电容。
引脚 28 ：ENRX ，模式控制输入。
引脚 29 ：LF ，充电泵输出和压控振荡器 1 （VCO1 ）控制输入。
2。3。4 内部结构与工作原理
TH71101 内部结构框图如图2。3。2 所示。芯片内包含低噪声放大器（LNA ）、两级混频器
（
MIX1；MIX2 ）、锁相环合成器（PLL Synthesizer ）、基准晶体振荡器（RO ）、充电泵（CP ）、
中频放大器（IFA ）、相频检波器（PFD ）等电路。
…………………………………………………………Page 779……………………………………………………………
·108 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图2。3。2 TH71101 内部结构方框图
…………………………………………………………Page 780……………………………………………………………
第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·109 ·
低噪声放大器（LNA ）是一个为高灵敏度的接收射频信号的共发…共基放大器。混频器 1
（MIX1 ）将射频信号下变频到中频 1 （IF1 ），混频器2 （MIX2 ）将中频信号 1 下变频到中频
信号 2 （IF2 ）；中频放大器（IFA ）放大中频信号 2 和限幅中频信号并产生 RSSI 信号。相位
重合解调器和混频器 3 解调中频信号。运算放大器（OA ）进行数据限幅、滤波和ASK 检测。
锁相环合成器（PLL Synthesizer ）由压控振荡器（VCO1 ）、反馈式分频器（DIV16 和 DIV2 ）、
基准晶体振荡器（RO ）、相频检波器（PFD ）、充电泵（CP ）等电路组成，产生第 1 级和第 2
级本振信号 LO1 和 LO2 。
使用 TH71101 接收器芯片可以组成不同的电路结构，以满足不同的需求。对于 FSK/FM
接收，在相位重合解调器中使用 IF 谐振回路，谐振回路可由陶瓷谐振器或者 LC 谐振回路组
成。在 ASK 结构时，RSSI 信号馈送到 ASK 检波器，ASK 检波器由 OA 组成。
TH71101 采用两级下变频，MIX1 和 MIX2 由芯片内部的本振信号LO1 和 LO2 驱动，与
射频前端滤波器共同实现一个高的镜像抑制。有效的射频前端滤波是在 LNA 的前端使用
SAW、陶瓷或者LC 滤波器；在 LNA 的输出使用LC 滤波器。
基准频率 REF 、本振频率LD 、中频 IF 与 RF 镜像抑制的关系如表 2。3。2 所示。
表2。3。2 基准频率REF、本振频率LO、中频IF 与RF 镜像抑制的关系
注入类型 低端 高端
REF （RF…IF）/16 （RF＋IF）/16
LO 16×REF 16×REF
IF RF…LO LO…RF
RF 镜像 RF…2IF RE＋2IF
表2。3。3 在IF=10。7MHz 时，基准频率REF、本振频率LO 与RF 镜像抑制的关系
RF=315MHz RF=315MHz RF=433。6MHz RF=433。6MHz
参数
低端 高端 低端 高端
REF/MHz 19。01875 20。35625 26。43125 27。76875
LO/MHz 304。3 325。7 422。9 444。3
RE 镜像/MHz 293。6 336。4 412。2 455。0
2。3。5 应用电路设计
TH71101 的应用电路包括FSK； FM； ASK 接收电路。FSK 接收电路见图 2。3。3 （a ），其元
器件布局与印制板图见图 2。3。3 （b ），其元器件参数见表2。3。4 ；FM 接收电路见图 2。3。4 （a ），
其元器件布局与印制板图见图 2。3。4 （b ），其元器件参数见表2。3。5 ；ASK 接收电路见图 2。3。5
（a ），其元器件布局印制板图见图2。3。5 （b ），其元器件参数见表2。3。6 。
…………………………………………………………Page 781……………………………………………………………
·110 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图2。3。3 （a ） FSK 接收电路
…………………………………………………………Page 782……………………………………………………………
第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·111 ·
图2。3。3 （b ） FSK 元器件布局与印制板图
表2。3。4 FSK 接收电器元器件参数
数值 数值
符 号 尺 寸 误 差
@315 MHz @433 MHz
C1 0805 15pF 15pF ±10％
C2 0805 NIP NIP ±10％
C3 0805 1nF 1nF ±10％
C4 0603 NIP 3。3pF ±5％
C5 0603 NIP 3。3pF ±5％
C6 0603 5。6pF 4。7pF ±5％
C7 0603 4。7pF 2。2pF ±5％
C8 0603 NIP NIP ±5％
C9
快捷操作: 按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页 按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页 按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部!
温馨提示： 温看小说的同时发表评论，说出自己的看法和其它小伙伴们分享也不错哦！发表书评还可以获得积分和经验奖励，认真写原创书评 被采纳为精评可以获得大量金币、积分和经验奖励哦！